由于發(fā)光二極管燈的核心部分是PN結(jié)(P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體通過(guò)擴(kuò)散制作在同一半導(dǎo)體襯底上，在它們的界面上形成一個(gè)空間電荷區(qū)，稱為PN結(jié))，光能通過(guò)PN結(jié)內(nèi)部的吸收片和環(huán)氧樹(shù)脂/硅膠轉(zhuǎn)化為熱能【導(dǎo)熱硅膠片】。這種熱量對(duì)燈有很大的副作用，會(huì)使發(fā)光二極管燈的內(nèi)部溫度越來(lái)越高，亮度越來(lái)越低，壽命越來(lái)越短，所以良好的散熱是發(fā)光二極管燈保持恒定亮度和延長(zhǎng)壽命的保證。

　　接下來(lái)，介紹大功率發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)：

　　因?yàn)槊總€(gè)人對(duì)發(fā)光二極管光源的要求越來(lái)越高，除了對(duì)發(fā)光二極管的發(fā)光速率和光色有不同的要求外，對(duì)發(fā)光強(qiáng)度等方面也有不同的要求。為了滿足客戶需求和提高封裝技術(shù)，芯片制造商也對(duì)封裝廠提出了更高的要求，設(shè)計(jì)出能夠更好滿足客戶需求的封裝結(jié)構(gòu)，從而提高了發(fā)光二極管外的光利用率。

　　不同的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Πl(fā)光二極管光源提出了更高的要求。除了對(duì)發(fā)光二極管的發(fā)光效率和光色有不同的要求外，對(duì)發(fā)光角度和光強(qiáng)分布也有不同的要求。這不僅要求上游芯片廠開(kāi)發(fā)新的半導(dǎo)體材料，改進(jìn)芯片制造工藝，設(shè)計(jì)符合要求的芯片，還要求下游封裝廠提出更高的要求，設(shè)計(jì)滿足一定光強(qiáng)分布的封裝結(jié)構(gòu)，提高發(fā)光二極管外的光利用率。

　　現(xiàn)有散熱技術(shù)由以下部分組成：散熱鋁型材、導(dǎo)熱硅膠片或?qū)峁柚?、?dǎo)熱陶瓷片和絕緣二氧化硅薄膜發(fā)光二極管燈組件、電極、發(fā)光二極管基座和發(fā)光二極管PN結(jié)

　　導(dǎo)熱硅膠的散熱過(guò)程是：從發(fā)光二極管的PN結(jié)發(fā)出的熱源穿過(guò)發(fā)光二極管基座、焊膏焊接層、銅涂層、絕緣層、散熱鋁板、導(dǎo)熱硅膠片或?qū)峁柚?，然后傳?dǎo)至散熱鋁板進(jìn)行散熱，從而完成整個(gè)散熱過(guò)程。

　　一般來(lái)說(shuō)，發(fā)光二極管燈座的導(dǎo)熱系數(shù)約為80W/m.k;銅鍍層的導(dǎo)熱系數(shù)為400W/m.k，鋁板的導(dǎo)熱系數(shù)約為IW/m.k，發(fā)光二極管燈具用硅墊片或硅脂的導(dǎo)熱系數(shù)一般為0.8~5.0W/m.k，離發(fā)光二極管的PN結(jié)越近，熱流密度越高。以這種方式，鋁板的橫向熱導(dǎo)率均已經(jīng)達(dá)到硅氧烷片/硅氧烷脂，并且絕緣層的熱流密度高于硅氧烷脂的熱流密度，因此可以看出鋁板的絕緣層最難散熱。

　　由于鋁板上的絕緣層最難散熱，所以通過(guò)鉆孔去除銅鍍層和絕緣層，使鋁基板暴露出來(lái)，鋅沉積在暴露出來(lái)的鋁板上，鋅表面鍍鎳，鎳上鍍銅，銅上噴錫或鍍金，加工后鍍層附著力強(qiáng)，導(dǎo)熱性能好，鍍膜后將發(fā)光二極管焊接在鋁板上。焊接完成后，發(fā)光二極管的PN結(jié)發(fā)出的熱量經(jīng)過(guò)發(fā)光二極管基座到達(dá)焊膏焊接塊，然后到達(dá)鋁板，再經(jīng)過(guò)發(fā)光二極管燈的導(dǎo)熱硅膠片或?qū)峁枘z脂，將熱量傳導(dǎo)到散熱鋁型材，然后將熱量散發(fā)到空氣中。由于去除了導(dǎo)熱系數(shù)非常小的絕緣層，散熱效果大大增強(qiáng)，從而降低了發(fā)光二極管底座的溫度，延長(zhǎng)了發(fā)光二極管燈具的使用壽命和穩(wěn)定性。

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